GB/T 14146-2009硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法
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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個(gè)人委托測(cè)試望見諒。
聯(lián)系中化所
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 14146-2009硅外延層載流子濃度測(cè)定 汞探針電容-電壓法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延層載流子濃度汞探針電容電壓測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于同質(zhì)的硅外延層載流子濃度測(cè)量。測(cè)量范圍為:4×1013cm-3~8×1016cm-3。本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試的硅外延層的厚度必須大于測(cè)試偏壓下耗盡層的深度。本標(biāo)準(zhǔn)也可適用于硅拋光片的載流子濃度測(cè)量。
英文名稱： Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
替代情況： 替代GB/T 14146-1993
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
首發(fā)日期： 1993-02-06
提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
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