1. 物理與外觀檢查

• 目視檢查：確認芯片封裝無裂紋、引腳無氧化或彎曲。
• 引腳連通性測試：使用萬用表檢測引腳與內部電路的導通性，排除虛焊或斷路。
• 標簽核對：驗證芯片型號、批次號與規格書一致，避免混料。

2. 電氣參數測試

• 工作電壓范圍：測試PROM在額定電壓（如5V±10%）下的穩定性，確保無過壓或欠壓失效。
• 靜態/動態電流：測量待機與讀寫操作的電流消耗，超出規格可能指示內部短路或漏電。
• 輸入/輸出電平：驗證邏輯電平（如TTL或CMOS）是否符合主系統接口要求，避免信號不匹配。

3. 功能完整性測試

• 全地址編程驗證：
  • 編程測試：使用編程器寫入全0、全1及棋盤格（0101…/1010…）模式，檢測編程成功率。
  • 逐位讀取驗證：對比寫入數據與讀取結果，定位固定位錯誤（Stuck-at Fault）或跳變位。
• 冗余位檢測（如有ECC）：驗證糾錯碼是否能修正單比特錯誤或檢測多比特錯誤。

4. 數據保持能力測試

• 高溫老化試驗：將PROM置于高溫環境（如125°C）下持續數百小時，加速數據電荷流失，測試后讀取數據是否完整。
• 長期穩定性測試：模擬數年存儲條件，定期抽樣檢測數據完整性，確保無位翻轉（Bit Flip）。

5. 環境可靠性測試

• 溫度循環測試：在-40°C至+85°C間快速循環，驗證熱膨脹對芯片結構的影響。
• 濕熱試驗：85%濕度環境下測試抗腐蝕性能，防止金屬層氧化導致接觸不良。
• 機械沖擊與振動：模擬運輸或使用中的震動，檢測焊點牢固性及內部結構穩定性。

6. 兼容性與時序測試

• 讀寫時序匹配：使用示波器驗證地址建立時間（t_AS）、數據保持時間（t_DH）等時序參數是否符合系統要求。
• 編程器兼容性：測試不同廠商編程器對芯片的識別與寫入成功率。

1. 初檢階段：外觀檢查 → 引腳連通性測試 → 電氣參數測量。
2. 核心功能測試：編程驗證 → 數據比對 → 冗余糾錯測試（如適用）。
3. 環境應力測試：高溫老化 → 溫度循環 → 濕熱試驗。
4. 終檢與報告：復測電氣參數 → 生成檢測報告（含失效位圖及統計分析）。

• 固定位錯誤：可能因編程電壓不足或存儲單元損壞，需調整編程參數或更換芯片。
• 數據保持失效：高溫環境下電荷泄漏過快，需選用更高品質的氧化層工藝PROM。
• 時序沖突：重新設計系統時序或選用速度等級匹配的PROM型號。